[资讯] 美光、南科：42奈米制程2Gb DDR3下半年量产

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美光(Micron Technology, Inc.)于美东时间8日上午11时发布新闻稿宣布，该公司已与南科(2408)共同开发出采用42奈米制程技术的2Gb DDR3内存，而3X奈米制程技术也正在研发当中。费城半导体指数成分股美光(Micron)8日闻讯逆势上涨2.41%，收8.91美元。
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9 u$ J: {) P( n/ J根据新闻稿，42奈米制程技术不但能维持生产成本效率，还可令内存拥有低耗电、高效能、高密度与芯片尺寸缩小的优点。此外，42奈米制程技术也可将服务器的内存耗电量减少最多30%。
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% Y3 L+ W  i+ T6 c$ p& ?& n美光指出，上述42奈米制程2Gb DDR3预计可在2010年第2季开始送样，并于2010年下半年开始量产。
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三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)甫于2月1日宣布，业界首见30奈米制程DDR3刚刚通过客户评估，预计在2010年下半年量产。新款DDR3将应用在服务器、笔记型计算机、桌上型计算机以及次世代的小笔电/行动装置。三星电子指出，30奈米制程DDR3生产效率较40奈米高出60%，30奈米2Gb DRAM耗电量仅有50奈米产品的70%。应用于新世代笔记型计算机的4GB 30奈米模块每小时耗电量仅有3瓦